[发明专利]像素界定层的制作方法与OLED器件的制作方法在审

专利信息
申请号: 201610644847.2 申请日: 2016-08-08
公开(公告)号: CN106067478A 公开(公告)日: 2016-11-02
发明(设计)人: 史婷;刘亚伟 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种像素界定层的制作方法与OLED器件的制作方法。本发明的像素界定层的制作方法,采用纳米压印技术形成具有双层结构的像素界定层,工艺简单,制作成本低,所制作的像素界定层能够界定出像素区域,从而便于采用喷墨打印工艺制作OLED器件,在低成本的新型OLED显示器领域具有很好的应用前景。本发明的OLED器件的制作方法,采用上述像素界定层的制作方法得到像素界定层,然后通过喷墨打印的方式形成有机功能层,工艺简单,制作成本低。
搜索关键词: 像素 界定 制作方法 oled 器件
【主权项】:
一种像素界定层的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、提供一TFT基板(10),在所述TFT基板(10)上涂覆一层聚合物材料,得到界定层薄膜(20’);步骤2、提供压印模板(90),将压印模板(90)置于所述界定层薄膜(20’)上方,采用纳米压印工艺,在所述界定层薄膜(20’)上形成第一台阶层(21)、及所述第一台阶层(21)上的第二台阶层(22),其中,所述第一台阶层(21)定义出数个像素开口区,所述第二台阶层(22)与所述第一台阶层(21)共同定义出数个上宽下窄的像素区域;步骤3、采用等离子体对所述界定层薄膜(20’)进行刻蚀,减薄所述界定层薄膜(20’),去除对应所述像素开口区内的界定层薄膜(20’),得到包括第一台阶层(21)、和第二台阶层(22)的像素界定层(20)。
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