[发明专利]像素界定层的制作方法与OLED器件的制作方法在审
申请号: | 201610644847.2 | 申请日: | 2016-08-08 |
公开(公告)号: | CN106067478A | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | 史婷;刘亚伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种像素界定层的制作方法与OLED器件的制作方法。本发明的像素界定层的制作方法,采用纳米压印技术形成具有双层结构的像素界定层,工艺简单,制作成本低,所制作的像素界定层能够界定出像素区域,从而便于采用喷墨打印工艺制作OLED器件,在低成本的新型OLED显示器领域具有很好的应用前景。本发明的OLED器件的制作方法,采用上述像素界定层的制作方法得到像素界定层,然后通过喷墨打印的方式形成有机功能层,工艺简单,制作成本低。 | ||
搜索关键词: | 像素 界定 制作方法 oled 器件 | ||
【主权项】:
一种像素界定层的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、提供一TFT基板(10),在所述TFT基板(10)上涂覆一层聚合物材料,得到界定层薄膜(20’);步骤2、提供压印模板(90),将压印模板(90)置于所述界定层薄膜(20’)上方,采用纳米压印工艺,在所述界定层薄膜(20’)上形成第一台阶层(21)、及所述第一台阶层(21)上的第二台阶层(22),其中,所述第一台阶层(21)定义出数个像素开口区,所述第二台阶层(22)与所述第一台阶层(21)共同定义出数个上宽下窄的像素区域;步骤3、采用等离子体对所述界定层薄膜(20’)进行刻蚀,减薄所述界定层薄膜(20’),去除对应所述像素开口区内的界定层薄膜(20’),得到包括第一台阶层(21)、和第二台阶层(22)的像素界定层(20)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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