[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610638611.8 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN106299051A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;董彬忠;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层，多量子阱层包括交替生长的InGaN阱层和GaN垒层，GaN垒层的厚度为31～40nm。本发明利用GaN垒层提高多量子阱层的晶体质量，改善由于晶体质量造成的漏电，提高LED芯片的vfin，增加同一晶元上vfin满足要求范围的LED芯片数量，提升vfin良率，使得多个LED芯片组装而成的产品品质得到保障，避免由于一个LED芯片暗亮或不亮影响整体效果而引起客户投诉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层，所述多量子阱层包括交替生长的InGaN阱层和GaN垒层，其特征在于，所述GaN垒层的厚度为31～40nm。
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