[发明专利]射频微系统封装模块及其制造方法有效
| 申请号： | 201610626411.0 | 申请日： | 2016-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN107680958B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 王晓川 | 申请（专利权）人： | 上海珏芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/48;H01L21/98 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 李时云 |
| 地址： | 201204 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种射频微系统封装模块及其制造方法，涉及包括无线通讯射频前端模块等高密度微系统芯片封装应用领域，所述射频微系统封装模块，包括：一个含有第一半导体器件层的第一晶片，一个堆叠于所述第一晶片之上并被之包含的含有第二半导体器件层的第二晶片，一个将第一晶片和第二晶片实现电学耦合的第一组晶片间互连线，以及置于第一晶片上包围第二晶片的第一介质填充片体，本发明通过晶片垂直堆叠和电学互连，缩小了该射频微系统封装模块的封装尺度，并提高其电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 微系统 封装模块 射频 半导体器件层 射频前端模块 晶片间互连 垂直堆叠 电学性能 电学耦合 介质填充 无线通讯 芯片封装 电学 互连 等高 堆叠 片体 封装 尺度 包围 制造 | ||
【主权项】：
1.一种射频微系统封装模块，其特征在于，包括：/n第一晶片，具有相对的第一晶片正面和第一晶片背面，作为所述射频微系统封装模块的基板，包含第一半导体器件层、构置于第一半导体器件层上的第一射频晶体管以及构置于第一射频晶体管和第一晶片背面间的第一晶体管底部介质层；/n被垂直堆叠在所述第一晶片正面之上并包含于所述第一晶片边界之内的第二晶片，其具有相对的第二晶片正面和第二晶片背面，所述第二晶片包含第二半导体器件层和构置于第二半导体器件层上的第二射频晶体管，所述第二晶片正面与第一晶片正面相对；/n第一介质填充片体，置于第一晶片正面上并环绕第二晶片；/n一组第一晶片间互连线，将第一晶片和第二晶片实现电学耦合，其中至少一个第一晶片间互连线包含一个垂直穿透第一半导体器件层并深入到第二晶片内与第二射频晶体管实现电学耦合的第一通孔互连件；/n其中，所述第一半导体器件层的厚度小于2微米，所述第一晶体管底部介质层的厚度小于2微米，所述第二晶片与第一晶片堆叠的总和净厚度小于1毫米。/n
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