[发明专利]一种基于图形密度的工艺模型建模与修正方法

摘要

本发明提供基于图形密度的工艺模型建模与修正方法，其通过加入不同图形密度的冗余图形，以及调整OPC测试图形区域面积，得到目标图形密度的测试图形；根据不同图形密度范围的测试图形收集的硅片数据校准模型，得到不同图形密度范围情况下OPC模型；在OPC处理过程中，先用代表平均密度的模型修正整个版图数据，然后分析版图密度分布情况，选择低密度和高密度的图形区域，分别用对应的模型进行修正处理，最终得到掩模板图形。

主权项

1.一种基于图形密度的工艺模型建模与修正方法，其特征在于，包括：步骤S1：提供代表N组不同图形密度范围D1,D2,…Dx,…,Dn的OPC测试图形，所述OPC测试图形的图形密度范围代表实际产品不同区域的图形密度范围；其中，N大于等于2，且设定N组不同图形密度范围中的一组图形密度范围为平均图形密度范围Dx；具体包括如下步骤：步骤S11：根据版图设计规则和光刻目标设计用于OPC模型校准所需的初始测试图形组，其中，所述测试图形包括描述一维尺寸变化的图形组和/或二维尺寸变化的图形组；步骤S12：建立N种不同密度的冗余图形填充规则；步骤S13：对步骤S11产生的初始测试图形组进行冗余图形填充，得到N组不同图形密度范围D1,D2,…Dx,…,Dn的OPC测试图形；步骤S2：分别对每组图形密度范围D1,D2,…Dx,…,Dn的OPC测试图形收集硅片数据，并根据所述硅片数据对所述工艺模型进行校准，每组OPC测试图形收集的硅片数据对所述工艺模型进行校准后都得到一个OPC模型，共得到N个OPC模型M1,M2,…Mx,…,Mn，每个OPC模型表示N组图形密度范围中的某一个图形密度范围下的光刻结果；步骤S3：进行基于OPC模型M1,M2,…Mx,…,Mn的OPC修正；所述步骤S3具体包括：步骤S31：确定平均密度平均图形密度范围Mx，利用平均密度平均图形密度范围相对应的模型Mx进行初始修正，得到初始修正版图；如果N等于2，执行步骤S32，如果N大于2，执行步骤S33；步骤S32：对初始修正版图进行图形密度分析，并选择剩下的图形密度范围的版图区域及图形，在初始修正版图基础上，利用剩下的图形密度范围相对应OPC模型对版图区域及图形进行再修正，得到最终的修正版图；步骤S33：对初始修正版图进行图形密度分析，并选择图形密度为D1的版图区域及图形A1，在初始修正版图基础上，利用M1对A1图形进行再修正，对二次修正版图进行图形密度分析，并选择图形密度为D2的版图图区域及图形A2，在初始修正版图基础上，利用M2对A2图形进行再修正，得到三次修正版图；……，直到对N‑1次修正版图进行图形密度分析，并选择图形密度为Dn的版图图区域及图形An，在N‑1次修正版图基础上，利用Mn对图形An进行再修正，得到最终修正版图。