[发明专利]一种高亮度LED芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201610605141.5 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN106025013A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 吴永军 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高亮度LED芯片的制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)版图设计时将P‑SiO2开孔取消；(2)版图设计时在MESA光罩上加入ITO开孔，其孔小于原ITO开孔，为ITO过腐蚀工艺留余度，保证ITO过腐蚀后其孔大小与原来一致；(3)调整CB层生长工艺及厚度，保证MESA刻蚀后能有效保护P‑GaN不受损；(4)调整CB层湿法腐蚀速率，保证在第三道光刻时被腐蚀干净，最终外观形貌与四道光刻一致。本发明将包含CB层的高亮度芯片工艺缩减一道光刻，且芯片结构不变，PN‑PAD仍部分与GaN接触，保证电性及外观不变的情况下，保持电极的牢固性及可靠性，降低芯片制备成本及提升生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高亮度LED芯片的制备方法，其特征在于：其LED芯片包括：GaN层，GaN层上设有CB层，CB层上在MESA光罩上加入ITO开孔，GaN层上设有PN‑PAD层和SiO2层，其制备方法包括以下步骤：(1)版图设计时将P‑SiO2开孔取消；(2)版图设计时在MESA光罩上加入ITO开孔，其孔小于原ITO开孔，为ITO过腐蚀工艺留余度，保证ITO过腐蚀后其孔大小与原来一致；(3)调整CB层生长工艺及厚度，保证MESA刻蚀后能有效保护P‑GaN不受损；(4)调整CB层湿法腐蚀速率，保证在第三道光刻时被腐蚀干净，最终外观形貌与四道光刻一致。
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