[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201610603191.X | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106409798A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | S·克兰普 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据各种实施例，一种半导体器件可以包括在半导体器件的正面上的至少一个第一接触垫；在半导体器件的正面上的至少一个第二接触垫；至少部分被置于至少一个第一接触垫之上的层堆叠，其中至少一个第二接触垫至少部分没有层堆叠；其中层堆叠至少包括粘附层和金属化层；并且其中金属化层包括金属合金并且其中粘附层被置于金属化层与至少一个第一接触垫之间以用于将金属化层的金属合金粘附至至少一个第一接触垫。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在所述半导体器件的正面上的至少一个第一接触垫；在所述半导体器件的所述正面上的至少一个第二接触垫；至少部分被置于所述至少一个第一接触垫之上的层堆叠，其中所述至少一个第二接触垫至少部分没有所述层堆叠；其中所述层堆叠至少包括粘附层和金属化层；以及其中所述金属化层包括金属合金并且其中所述粘附层被置于所述金属化层和所述至少一个第一接触垫之间以用于将所述金属化层的所述金属合金粘附至所述至少一个第一接触垫。
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