[发明专利]非晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法

摘要

一种非晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法，所述非晶硅薄膜太阳能电池由依次连接的柔性PET基片层、SiO2陷光层、第一电极TCO层、p型非晶硅层、p型缓冲层、i型非晶硅层、n型非晶硅层、第二电极TCO层和背反射层组成。制备方法包括提供柔性PET基片层；在柔性PET基片层上依次沉积SiO2陷光层、第一电极TCO层、p型非晶硅层、p型缓冲层、i型非晶硅层、n型非晶硅层、第二电极TCO层和背反射层。本发明的非晶硅薄膜太阳能电池的光电转换效率达到10~14%，较现有的单节非晶硅薄膜太阳能电池的光电转换效率提高了3~8%，并有效防止本征层i型非晶硅层和n型非晶硅层受到污染，适于大批量生产。

主权项

一种非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于由依次连接的柔性PET基片层、SiO2陷光层、第一电极TCO层、p型非晶硅层、p型缓冲层、i型非晶硅层、n型非晶硅层、第二电极TCO层和背反射层组成，其中所述柔性PET基片层厚度为0.001～0.125mm，所述SiO2陷光层厚度为400～800nm，并且在沉积SiO2陷光层后对SiO2陷光层表面进行刻蚀粗糙化处理，保证刻蚀出的所有凹陷均匀一致，并且凹陷横向宽度为1～5um；所述p型缓冲层厚度为5～20nm。