[发明专利]衬底处理设备有效
| 申请号： | 201610600648.1 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106531661B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 玄俊镇;诸成泰;宋炳奎;金龙基;金劲勋;金苍乭;申良湜;金哉佑 | 申请（专利权）人： | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种衬底处理设备，包含：管，其提供内部空间，在所述内部空间中处理衬底；衬底支撑部分，其在管的内部空间中以多层堆叠多个衬底；气体供应部分，其将处理气体供应到多个衬底；排气部分，其安置成面向气体供应部分以吸收处理气体；以及流动调节部分，其具有沿着在气体供应部分与排气部分之间的管的圆周形成的喷洒开口以喷洒调节气体，并且能够通过调节处理气体的流动控制供应到衬底的上表面的处理气体的量，可以改进衬底处理过程的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 设备 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理设备，其特征在于，包括：管，其提供内部空间，在所述内部空间中处理衬底；衬底支撑部分，其在所述管的所述内部空间中以多层堆叠所述衬底；气体供应部分，其将处理气体供应到所述衬底；排气部分，其安置成面向所述气体供应部分以吸收所述处理气体；以及流动调节部分，其具有沿着在所述气体供应部分与所述排气部分之间的所述管的圆周形成的喷洒开口以喷洒调节气体，所述喷洒开口以缝隙的形状形成或者以安置在线路中的多个孔的形状形成，所述喷洒开口随着从所述气体供应部分到所述排气部分而在宽度上发生改变。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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