[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201610599762.7 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106024909B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 安晖;徐德智;段献学 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王益 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，本发明的制备方法在形成薄膜晶体管的各层结构之前，利用构图工艺在衬底上形成条状凸出部，而后在条状凸出部上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极，即可制备出沟道在宽度方向上与条状凸出部形状对应的薄膜晶体管。薄膜晶体管的沟道在宽度方向具有与条状凸出部对应的凹凸结构，可以在薄膜晶体管投影面积不变的情况下，增加宽长比，增加薄膜晶体管的导通电流，减小功耗；在保持相同宽长比的情况下，能够减小沟道长度，进而提高显示装置的开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成沿第一方向间隔排列的多个条状凸出部，所述条状凸出部沿第二方向延伸；依次形成覆盖所述多个条状凸出部的栅极、栅极绝缘层、有源层及源漏极，其中，源漏极之间的有源层对应所述条状凸出部的区域形成有条状凸起，多个所述条状凸起在所述源漏极之间沿所述第一方向间隔排列，且沿所述第二方向延伸；所述第一方向与所述第二方向垂直，且所述第二方向与所述源漏极垂直。
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