[发明专利]一种气压法测量硅片机械强度的装置在审
申请号: | 201610597546.9 | 申请日: | 2016-07-27 |
公开(公告)号: | CN106018113A | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 陈伟;罗才军;陈林军;姜志兴;李林东;金浩 | 申请(专利权)人: | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | G01N3/12 | 分类号: | G01N3/12 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种气压法测量硅片机械强度的装置,包括一端和真空泵连通另一端无盖的壳体,壳体内部设有用于盛放硅片的台阶面,还包括供台阶面和位于硅片下方的壳体的内部之间气体流通的通道,通道的外径小于硅片的外径,壳体位于真空泵和台阶面之间的侧壁插设有用于检测壳体内部气压的第一真空计。通过第一真空计测量初始大气压值,再将硅片放置于台阶面上将通道全覆盖,然后真空泵改变硅片上下两侧的气压差,通过第一真空计测得的内部气压和初始大气压值的差值表征硅片机械强度。采用均匀施加在硅片上的气压压力来检测硅片的机械强度,避免测试点仅与硅片点或线接触,力场分布不均,造成硅片机械性能测量值不够准确的弊端。 | ||
搜索关键词: | 一种 气压 测量 硅片 机械 强度 装置 | ||
【主权项】:
一种气压法测量硅片机械强度的装置,其特征在于,包括一端和真空泵连通另一端无盖的壳体(1),所述壳体(1)内部设有用于盛放硅片(9)的台阶面(2),还包括供所述台阶面(2)和位于所述硅片(9)下方的所述壳体(1)的内部之间气体流通的通道(3),所述通道(3)的外径小于所述硅片(9)的外径,所述壳体(1)位于所述真空泵和所述台阶面(2)之间的侧壁插设有用于检测所述壳体(1)内部气压的第一真空计(4)。
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