[发明专利]微发光二极管阵列的转印方法有效
| 申请号： | 201610597458.9 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN106058010B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 陈黎暄 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075;H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微发光二极管阵列的转印方法，在接受基板上设置数个接受凸起，微发光二极管被置于接受基板上相应的接受凸起上，因此，对于同一个传送头，通过改变数个接受凸起在接受基板上的排列方式，便可实现在接受基板上转印不同排列方式的微发光二极管阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微发光二极管阵列的转印方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供传送头(50)、及载体基板(10)，所述载体基板(10)上设有数个微发光二极管(40)，利用所述传送头(50)拾取所述载体基板(10)上的微发光二极管(40)；步骤2、提供接受基板(20)，在所述接受基板(20)上形成数个阵列排布的接受凸起(21)；步骤3、将载有微发光二极管(40)的传送头(50)与所述接受基板(20)进行对位，将传送头(50)上的微发光二极管(40)置于相对应的接受凸起(21)上，从而对应所述数个接受凸起(21)的阵列排布方式，完成微发光二极管阵列的转印；所述步骤2中提供的接受基板(20)为TFT阵列基板。
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