[发明专利]一种薄膜晶体管制作方法和阵列基板制作方法在审
| 申请号： | 201610595166.1 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN106024908A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王孝林;梅文淋;许卓;金熙哲;金在光;崔镕各;郑在纹 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种薄膜晶体管制作方法和阵列基板制作方法，其中，该薄膜晶体管制作方法包括在衬底基板上形成栅极图形、有源层图形和源漏极的图形的流程，包括：形成有源层薄膜；在有源层薄膜上形成刻蚀阻挡层的图形；在刻蚀阻挡层的图形上形成源漏极的图形；以刻蚀阻挡层的图形、源漏极的图形为掩膜对有源层薄膜刻蚀形成有源层图形。本发明实施例在形成有源层时不使用掩膜板，在形成源漏极时共用一个掩膜板，同时连续刻蚀。本发明实施例不使用半透掩膜板，减少了一次形成有源层的掩膜工艺，简化了工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括在衬底基板上形成栅极图形、有源层图形和源漏极的图形的流程，包括：形成有源层薄膜；在有源层薄膜上形成刻蚀阻挡层的图形；在刻蚀阻挡层的图形上形成源漏极的图形；以刻蚀阻挡层的图形、源漏极的图形为掩膜对有源层薄膜刻蚀形成有源层图形。
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