[发明专利]一种磁性隧道结的对准和形成方法在审
| 申请号： | 201610590264.6 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107658324A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张云森;肖荣福;郭一民;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙)31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的一种磁性隧道结的对准和形成方法，采用顶电极/磁性隧道结/底电极与CMOS导电插塞对齐的方式，形成方法包括以下步骤(1)在衬底上，依次形成底电极膜层、磁性隧道结多层膜与硬掩模膜层；(2)图形化定义磁性隧道结图案，反应离子刻蚀硬掩模膜层；(3)离子束刻蚀或者反应离子刻蚀磁性隧道结多层膜和底电极膜层；(4)沉积一层侧壁保护层；(5)沉积一层介电质，并抛光磨平。本发明提供的磁性隧道结的对准和形成方法，由于顶电极/磁性隧道结/底电极与CMOS导电插塞对齐，这样就可以把底电极做的很薄，采用一次刻蚀工艺来对磁性隧道结和底电极进行刻蚀；不需要额外的底电极光罩，提高了底电极和磁性隧道结相互对准的精准度，降低了工艺复杂程度和制造成本，非常有利于器件的微型化和MRAM电路的大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 隧道 对准 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性隧道结的对准和形成方法，其特征在于，所述磁性隧道结的对准采用顶电极/磁性隧道结/底电极与CMOS导电插塞对齐的方式对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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