[发明专利]一种窄带红外探测芯片及其制作方法

摘要

本发明涉及一种窄带红外探测芯片及其制作方法，包括以下步骤：选取单晶硅片，蒸镀一定厚度的金；通过PECVD设备进行表面沉积一定厚度的SiO₂；旋涂PMMA曝光胶；设计十字交叉结构的纳米棒阵列，精确控制纳米棒阵列的尺寸参数，通过电子束曝光设备将所设计的结构转移至PMMA曝光胶；进行曝光处理，并通过电子束蒸镀设备进行金蒸镀；进行化学溶液浸泡，去掉PMMA曝光胶，此时硅片上会呈现十字形纳米棒的阵列结构。本发明通过引入光学纳米结构的参数优化设计，实现窄带的红外探测，制造工艺简单可靠，更有利于技术的推广和普及。

主权项

一种窄带红外探测芯片，包括单晶硅片(1)、金背板(2)、SiO₂介电层(3)；所述金背板(2)设在单晶硅片(1)上，用作反射层；金背板(2)上生长有SiO₂作为介电层；其特征在于：所述介电层上，制作有若干个结构和尺寸相同的十字形曝光区，各十字形曝光区在介电层平面水平和垂直两个方向均匀、平行分布；其中：所述十字形曝光区由4个长宽均相等的矩形曝光块，以矩形短边为邻接边组成；十字形曝光区的水平和垂直两个方向上，矩形曝光块之间间距相等，两两平行对正。