[发明专利]半导体垂直铜互连中填充有机聚合物的TSV结构的制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体垂直铜互连中填充有机聚合物的TSV结构的制备方法，包括以下步骤：将半导体基材在确定位置打孔，之后在带有导通孔的半导体基材上制备绝缘层、阻挡层和种子层并进行未完全填满的镀铜填充，然后经过表面预处理后放入配置好的水相溶液中进行化学接枝，从而实现有机聚合物在导通孔中自底向上的填充；之后在基材正面进行化学机械抛光，然后溅射下金属层和铜种子层；之后涂覆光刻胶并使之图形化，在涂覆了光刻胶基材表面电镀微凸点；最后去除光刻胶和微凸点周围的下金属层和种子层。本发明制造工艺要求低，降低了工艺成本，可广泛用于各种高端电子制造和封装领域，尤其可应用于大深宽比的导通孔中。

主权项

一种半导体垂直铜互连中填充有机聚合物的TSV结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在半导体基材上打出若干通孔或盲孔；在所述通孔或盲孔内依次制备出绝缘层、阻挡层和种子层；在所述种子层的表面实现不完全填满的镀铜填充，形成铜镀层；在所述铜镀层的表面用化学镀液接枝出聚合物填充体；对接枝出聚合物填充体的半导体基材的正面进行抛光后，依次溅射出下金属层和铜种子层；在所述铜种子层的表面涂覆光刻胶后，电镀出微凸点，最后去除光刻胶和所述微凸点周围的金属层和种子层。