[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201610576516.X | 申请日： | 2016-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN106024638A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘洋 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/786 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：在基板(10)上形成有源层(20)；在基板(10)上同时形成与有源层(20)的两端分别接触的源极(30)和漏极(40)以及覆盖有源层(20)、源极(30)和漏极(40)的绝缘层(50)；在绝缘层(50)上同时形成栅极(60)以及覆盖栅极(60)的钝化层(70)。本发明还提供了一种利用该制作方法制作的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管可以在常温下进行，从而实现不耐高温的柔性基板上制备薄膜晶体管的目的，甚至不需要PECVD等昂贵的设备，能够大大降低柔性显示制造的工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板(10)上形成有源层(20)；在基板(10)上同时形成与有源层(20)的两端分别接触的源极(30)和漏极(40)以及覆盖有源层(20)、源极(30)和漏极(40)的绝缘层(50)；在绝缘层(50)上同时形成栅极(60)以及覆盖栅极(60)的钝化层(70)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
