[发明专利]一种闪存存储器的擦除方法

摘要

本发明提供一种闪存存储器的擦除方法，包括：选取互不相邻的待擦除字线，在待擦除字线的栅极施加0V电压或负电压，并且将与待擦除字线相邻的字线的栅极浮空，对待擦除字线进行擦除操作；后续再选取剩余的字线中互不相连的字线作为待擦除字线，对剩余的字线进行擦除，至所有字线均擦除完成。由于擦除某一字线时，其相邻两侧的字线的栅极均浮空，此时产生的电场方向为衬底指向待擦除字线栅极方向的电场E以及与电场E方向垂直从浮空的栅极指向待擦除字线栅极方向的电场E’，由于E’的方向朝向待擦除字线栅极，因此可以抑制擦除空穴的横向移动，进而避免了擦除空穴的残留，擦除不彻底造成闪存存储器后续的数据保持特性退化，器件失效的问题。

主权项

1.一种闪存存储器的擦除方法，其特征在于，在一个擦除周期内，包括：/n步骤A：对所述闪存存储器中接收擦除指令后被选中的擦除块的衬底施加第一擦除电压，所述擦除块中包括M条字线，所述M条字线依顺序具有编号1、2、3……M；/n步骤B：选取所述M条字线中互不相邻的字线作为待擦除字线；/n步骤C：对所述待擦除字线执行擦除操作，所述擦除操作具体为：在所述待擦除字线的栅极施加0V电压或负电压，并且将与所述待擦除字线相邻的字线的栅极浮空，浮空栅极的电压由衬底的擦除电压耦合而来，对所述待擦除字线进行擦除操作，擦除时间为T1；/n步骤F：对所述擦除块内M条字线的栅极均施加0V电压或负电压，对所述M条字线进行擦除操作，擦除时间为T2，擦除时间T1与擦除时间T2满足：T1/(T1+T2)＝η，其中，η<1；/n步骤D：对所述擦除块的衬底施加第二擦除电压；/n步骤E：选取剩余字线中互不相邻的字线作为待擦除字线，返回步骤C，直至所述M条字线均被执行擦除操作。/n