[发明专利]发射极化辐射的半导体芯片

摘要

本发明涉及一种发射辐射的半导体芯片，包括：带有活性区的半导体本体，该活性区发射带有第一辐射部分和第二辐射部分的非极化的辐射；具有格栅区域的格栅结构，使得在由半导体芯片发射的辐射中的一个辐射部分相比于另一辐射部分有所增加，从而半导体芯片发射极化的辐射，其具有增强的辐射部分的极化，减弱的辐射部分保留在半导体芯片中；光学结构，该光学结构把保留在半导体芯片中的减弱的辐射部分的至少一部分的极化转换为增强的辐射部分的极化；和位于耦合输出侧的对面的反射性背面。光学结构具有在与格栅结构延伸所在的平面平行的平面中延伸的结构化区域。结构化区域横向于格栅区域伸展并且与格栅区域夹成大于0°而小于90°的角度。

主权项

1.发射辐射的半导体芯片（1），包括：‑ 带有活性区（3）的半导体本体（2），该活性区发射非极化的辐射，所述非极化的辐射带有第一极化的第一辐射部分（S1）和第二极化的第二辐射部分（S2）；‑ 格栅结构（4），该格栅结构具有格栅区域（4a，4b）并且用作延迟板或极化过滤器，且使得在由半导体芯片（1）通过耦合输出侧（6）发射的辐射（S）中的一个辐射部分（S1、S2）相比于另一辐射部分（S2、S1）有所增加，从而半导体芯片（1）发射极化的辐射（S），该极化的辐射具有增强的辐射部分（S1、S2）的极化，其中，减弱的辐射部分（S2、S1）保留在半导体芯片（1）中；‑ 光学结构（5），该光学结构把保留在半导体芯片（1）中的减弱的辐射部分（S2、S1）的至少一部分的极化转换为增强的辐射部分（S1、S2）的极化；和‑ 位于耦合输出侧（6）的对面的反射性背面（7），其中，光学结构（5）具有结构化区域（5a），所述结构化区域在与所述格栅结构（4）延伸所在的平面平行的平面中延伸，其中所述结构化区域（5a）横向于所述格栅区域（4a）伸展并且与所述格栅区域（4a）夹成大于0°而小于90°的角度（）。