[发明专利]封装基板制作方法在审
申请号: | 201610543293.7 | 申请日: | 2016-07-12 |
公开(公告)号: | CN107611035A | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 赵裕荧;曾信得;王音统 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279 | 代理人: | 王正茂,丛芳 |
地址: | 中国台湾桃园市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种封装基板制作方法,该方法包含提供载板,其中载板包含基板、设置在基板上的至少一个薄膜电阻以及设置在薄膜电阻上的多个图样化电路,其中图样化电路中任意两个相邻电路之间具有间隙,部分薄膜电阻延伸至第一图样化电路之间的至少一个间隙中;接下来在载板设置有薄膜电阻的一侧形成保护材料,且保护材料至少覆盖薄膜电阻延伸至间隙内的至少一部分;接下来薄化保护材料;以及移除部分的保护材料,其中未经移除的保护材料形成保护层,并覆盖薄膜电阻延伸至间隙内的部分。通过形成保护层覆盖薄膜电阻,提供薄膜电阻较好的保护,减少或避免薄膜电阻在后续的工艺中受到化学物质侵蚀而损伤,以维持薄膜电阻电性性质较好的一致性。 | ||
搜索关键词: | 封装 制作方法 | ||
【主权项】:
一种封装基板制作方法,其特征在于,包含:提供载板,其中所述载板包含基板、设置在所述基板上的至少一个薄膜电阻以及设置在所述薄膜电阻上的多个第一图样化电路,其中所述多个第一图样化电路中任意两个相邻电路之间具有间隙,部分所述薄膜电阻延伸至该等第一图样化电路之间的至少一个间隙中;在所述载板设置有所述薄膜电阻的一侧形成第一保护材料,且所述第一保护材料至少覆盖所述薄膜电阻延伸至所述间隙内的至少一部分;薄化所述第一保护材料;以及移除部分所述第一保护材料,其中未经移除的所述第一保护材料形成第一保护层,并覆盖所述薄膜电阻延伸至所述间隙内的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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