[发明专利]一种一维硫化物半导体微晶的制备方法在审
| 申请号： | 201610541024.7 | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN106145178A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘玉峰;郑新峰;房永征;侯京山;张娜;赵国营 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术学院 |
| 主分类号： | C01G3/00 | 分类号： | C01G3/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200235 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种一维硫化物半导体微晶的制备方法，先将反应物前驱体含硫化合物、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水加入到反应釜中，所述强碱选自氢氧化钠、氢氧化钾或氢氧化铯中任意一种；在室温下搅拌至反应物溶解，然后将反应釜密封放入到180‑240℃的真空烘箱中加热反应1‑5天，最后离心、干燥即得ACu7S4半导体微晶材料；所述的ACu7S4半导体微晶光电材料用化学式为ACu7S4，其中，A选自Na，K，Cs中的一种。本发明的方法采用的原料来源广泛，使用过程中对环境无污染，制备工艺简单、重复性好、制备的产物化学性质稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化物 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种一维硫化物半导体微晶的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1）将反应物前驱体含硫化合物、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水加入到反应釜中，所述强碱选自氢氧化钠、氢氧化钾或氢氧化铯中任意一种；含硫化合物、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水的物料比为4‑30mmol：2‑20mmol：5‑35g：10‑30mL；2）在室温下搅拌5‑30min至反应物溶解，然后将反应釜密封放入到180‑240℃的真空烘箱中加热反应1‑5天，最后离心、干燥即得ACu7S4半导体微晶材料；所述的ACu7S4半导体微晶光电材料的化学式为ACu7S4，其中，A选自Na，K，Cs中的一种。
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