[发明专利]半导体存储器装置及其时脉调整方法有效
申请号: | 201610527376.7 | 申请日: | 2016-07-06 |
公开(公告)号: | CN107591173B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 张昆辉 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C11/4093 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 郭晓宇;王涛 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体存储器装置及其时脉调整方法。上述半导体存储器装置包括多个输入/输出电路、多个数据线、测试模式设定电路。上述多个数据线耦接至一存储器阵列和上述多个输入/输出电路,其中上述多个数据线分成多组,且每一上述输入/输出电路分别对应一组上述数据线。上述测试模式设定电路耦接至上述多个数据线,接收一外部指令,以及传送上述外部指令至每一上述输入/输出电路各自的一闩锁电路,以同时独立地调整每一上述输入/输出电路的一输入时脉或一输出时脉。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 装置 其时 调整 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体存储器装置,其特征在于,包括:多个输入/输出电路,各输入/输出电路包括:一输入时脉调整电路;一输出时脉调整电路;及一闩锁电路,耦接至上述输入时脉调整电路与上述输出时脉调整电路;多个数据线,耦接至一存储器阵列和上述多个输入/输出电路,其中上述多个数据线分成多组,且每一上述输入/输出电路分别对应一组上述数据线,其中每一上述输入/输出电路通过对应的上述数据线写入数据至上述存储器阵列,或从上述存储器阵列读取数据;以及一测试模式设定电路,耦接至上述多个数据线,接收一外部指令,以及传送上述外部指令至每一上述输入/输出电路的上述闩锁电路,以同时且独立地调整每一上述输入/输出电路的一输入时脉或一输出时脉。
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