[发明专利]半导体结构、半导体组件及功率半导体器件有效
| 申请号： | 201610522196.X | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN106129107B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;李振超;刘东;白智元;于奇;李述洲 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;重庆平伟实业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构、半导体组件及功率半导体器件，半导体结构包括：P型半导体材料层；N型半导体材料层，与所述P型半导体材料层相邻接，与所述P型半导体材料层共同形成PN结；多层绝缘材料层，位于所述PN结的外侧，且沿所述P型半导体材料层与所述N型半导体材料层叠置的方向分布，相邻所述绝缘材料层的相对介电常数不同。本发明的半导体结构显著优化了器件耐压时的电场分布，大幅提高了器件的击穿电压；避免了结边缘电场集中效应而导致的器件耐压下降，防止了器件提前击穿；本发明避免使用场环和金属场板结构，从而减小了芯片面积，降低了器件的成本，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 组件 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：P型半导体材料层；N型半导体材料层，与所述P型半导体材料层相邻接，与所述P型半导体材料层共同形成PN结；多层绝缘材料层，位于所述PN结的外侧，所述PN结的外壁与同一绝缘材料层相接触，与所述PN结的外壁相接触的所述绝缘材料层包括第一部分及第二部分，所述第一部分的横向厚度大于第二部分的横向厚度；所述第一部分位于所述P型半导体材料层的外侧及部分所述N型半导体材料层的外侧，所述第二部分位于所述N型半导体材料层的外侧；其他所述绝缘材料层位于所述第二部分的外侧，且沿所述P型半导体材料层与所述N型半导体材料层叠置的方向依次叠置，相邻所述绝缘材料层的相对介电常数不同。
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