[发明专利]一种快恢复型芯片的制作工艺

摘要

本发明提供了一种快恢复型芯片的制作工艺，包括以下步骤：附磷、磷源预沉积、磷分片、喷砂、涂硼、硼扩散、硼分片、涂白金液、白金扩散、氧化、匀胶、曝光、沟槽腐蚀、玻璃钝化、镀镍，本发明所制作出来的芯片，组装成桥式快恢复型后，在反向恢复时间上，较常规芯片时间更少，而且稳定性也较好，在客户端使用可靠性也较高。

主权项

一种快恢复型芯片的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：附磷、磷源预沉积、磷分片、喷砂、涂硼、硼扩散、硼分片、涂白金液、白金扩散、氧化、匀胶、曝光、沟槽腐蚀、玻璃钝化、镀镍；(1)附磷：先进行硅片清洗，然后将浓度不低于70％的纸状磷源，夹在相邻的硅片之间，完成后，将硅片依次放置在石英舟上；(2)磷源预沉积：将装有硅片的石英舟放置到第一扩散炉中进行磷源分解，时间为1‑2h，然后送入第二扩散炉中进行预沉积，时间为3‑6h，在磷源分解和预沉积过程中，通入第一混合气体；(3)磷分片：将硅片放入不低于15℃的HF溶液中浸泡，时间15‑24h，待硅片自然分开后，依次进行冲水、超声震荡和冲水，确保硅片表面无残酸；(4)喷砂：对硅片未进行磷源预沉积的一面进行喷砂，使用喷砂机对硅片进行研磨，去除量为25‑35um；(5)涂硼：先进行硅片清洗，然后将硅片放置涂硼匀胶机旋转台上进行涂硼，完成后，将硅片置于加热板的滤纸上烤干6‑12min，按摆放时的先后顺序取下硅片置于不锈钢盘的滤纸上，将硅片涂硼面与涂硼面两两相对叠放,在硅片的附磷面撒有铝粉，最后放置在石英舟上；(6)硼扩散：将石英舟放入第三扩散炉中进行扩散，时间为20‑30h，扩散过程中，通入第二混合气体；(7)硼分片：将硼扩散后的硅片放入不低于15℃的HF溶液中浸泡，时间10‑18H，待硅片自然分开后，进行冲水、超声震荡和冲水，确保硅片表面无残酸；(8)涂白金液：将硅片放于涂铂机转盘上，对硅片的P面进行涂白金液，完成后，将硅片取下，放至加热板烘干，将烘干后的硅片涂白金面两两相对，摆放于石英舟内；(9)白金扩散：将石英舟送入第四扩散炉中进行扩散，时间为1‑2h，在扩散过程中，通入第三混合气体；(10)氧化：先进行硅片清洗，然后放置在石英舟上，送入第五扩散炉中进行氧化，时间为15‑20h，氧化过程中，通入热纯水的水蒸气；(11)匀胶、曝光和沟槽腐蚀：对氧化后的硅片两面涂抹光刻胶，进行曝光，使表面形成所需要的图形，最后使用混合酸进行化学腐蚀，腐蚀时间为600到800S；(12)玻璃钝化：将腐蚀后的硅片去胶后，送入玻璃液中进行电泳，然后进行化学镀镍，制作完成芯片。