[发明专利]P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610496818.6 | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN106098767A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 张林;张赞;朱玮;高恬溪 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L21/332;H01L29/06;H01L29/47 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710064 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型电流增强层，P型电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层的上部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极的形状与P型SiC欧姆接触层相同，所述沟槽内设置有肖特基电极，肖特基电极与台阶侧面和沟槽底部均接触，所述N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述肖特基电极包括依次沉积的Ni层、Cr层和Au层，或者Ti层、Cr层和Au层，或者Pt层、Cr层和Au层。 | ||
| 搜索关键词： | 沟肖特基栅 碳化硅 静电感应 晶闸管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管，其特征在于，包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极(7)、N型SiC衬底(1)、P型SiC缓冲层(2)、P型SiC漂移层(3)和P型电流增强层(4)，P型电流增强层(4)上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层(5)，P型SiC欧姆接触层(5)的上部设置有P型欧姆接触电极(6)，P型欧姆接触电极(6)的形状与P型SiC欧姆接触层(5)相同，所述沟槽内设置有肖特基电极(8)，肖特基电极(8)与台阶侧面和沟槽底部均接触，所述N型欧姆接触电极(7)和P型欧姆接触电极(6)均包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述肖特基电极(8)包括依次沉积的Ni层、Cr层和Au层，或者Ti层、Cr层和Au层，或者Pt层、Cr层和Au层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长安大学，未经长安大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610496818.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
