[发明专利]一种氮化镓肖特基二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓肖特基二极管及其制作方法，该方法包括如下步骤：1）提供一衬底；2）在衬底上依次生长N+氮化镓层、N‑氮化镓层；3）将N‑氮化镓层所在的部分台面蚀刻至暴露出N+氮化镓层，并形成若干个直径为50~200μm的N‑氮化镓岛；4）淀积第一金属层与第二金属层；5）制作钝化层；6）蚀刻形成钝化层窗口；7）剔除不合格的N‑氮化镓岛，覆盖第三金属层，并将第三金属层分离形成里两个相对独立的正电极和负电极，从而完成肖特基二极管的制作。采用本发明的制作方法制作成的肖特基二极管，大大降低了器件工作时的漏电流，不存在器件不合格的情况，确保了器件的稳定性和可靠性，不会出现器件因存在缺陷而导致晶圆良率大大降低的情况发生。

主权项

1.一种氮化镓肖特基二极管的制作方法，包括如下步骤：1）提供一衬底；2）在衬底上依次生长N+氮化镓层、N‑氮化镓层；3）将N‑氮化镓层所在的部分台面蚀刻至暴露出N+氮化镓层，并使N‑氮化镓层上未蚀刻的部分形成若干个直径为50~200μm的N‑氮化镓岛；4）在每个N‑氮化镓岛背离衬底的一侧淀积形成第一金属层，在暴露的N+氮化镓层上背离衬底的一侧淀积形成第二金属层；5）在N‑氮化镓层背离衬底的一侧面上覆盖一层钝化层，并使所述钝化层覆盖整个器件及所述第一金属层和第二金属层；6）对第一金属层和第二金属层上的钝化层分别蚀刻形成钝化层窗口；7）检测各个N‑氮化镓岛的合格情况，剔除不合格的N‑氮化镓岛，在钝化层及钝化层窗口上背离衬底的一侧面覆盖第三金属层，并将第三金属层分离形成两个相对独立的正电极和负电极，从而完成肖特基二极管的制作，其中：对不合格的N‑氮化镓岛，采用打点器将绝缘胶液注入其钝化层窗口内，待绝缘胶液固化后，在所有的钝化层窗口及钝化层的背离衬底的一侧面上覆盖第三金属层，并将第三金属层分离形成相互独立的正电极和负电极，然后在正电极和负电极上分别布线与封装管脚相连；或在所有的钝化层窗口及钝化层的背离衬底的一侧面上覆盖第三金属层，并将第三金属层分离形成相互独立的正电极和负电极，其中正电极也同时分离成各岛独立的正电极，在判断每个N‑氮化镓岛的合格性后，在合格的N‑氮化镓岛的背离衬底的一侧面的正电极和负电极上布线，并与封装管脚相连。