[发明专利]一种GaSb单晶衬底表面化学钝化的方法

摘要

本发明一种GaSb单晶衬底表面化学钝化的方法,该方法包括如下步骤：步骤1）将抛光后的GaSb单晶片进行表面清洗；步骤2）将GaSb单晶片放入盛有37%体积比的HCl溶液中，腐蚀清洗3‑5分钟；步骤3）将GaSb单晶片放入到温度在60℃的碱性(NH₄)₂S/(NH₄)₂SO₄+S溶液中钝化4‑6分钟，其中，碱性(NH₄)₂S/(NH₄)₂SO₄+S溶液按照每100mL碱性(NH₄)₂S溶液中加入2g的单质S和1g的(NH₄)₂SO₄的比例配制而成；步骤4）取出GaSb单晶片浸入无水乙醇溶液中清洗6‑10分钟，然后经过吹干。本发明通过对GaSb单晶片表面进行化学钝化处理，在表面形成新的硫化物，可有效降低GaSb表面态密度，解决表面脱氧不完全等问题，提高衬底质量。

主权项

一种GaSb单晶衬底表面化学钝化的方法,其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1）将抛光后的GaSb单晶片进行表面清洗；步骤2）将GaSb单晶片放入盛有37%体积比的HCl溶液中，腐蚀清洗3‑5分钟；步骤3）将GaSb单晶片放入到温度在60℃的碱性(NH₄)₂S/(NH₄)₂SO₄+S溶液中钝化4‑6分钟，其中，碱性(NH₄)₂S/(NH₄)₂SO₄+S溶液按照每100mL碱性(NH₄)₂S溶液中加入2g的单质S和1g的(NH₄)₂SO₄的比例配制而成；步骤4）取出GaSb单晶片浸入无水乙醇溶液中清洗6‑10分钟，然后经过吹干。