[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610486009.7 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107527953B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 陈永;董天化;吴亮;金岚;包小燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供半导体衬底，部分所述半导体衬底上形成有层叠设置的第一多晶硅层和介质层，以及围绕所述第一多晶硅层和所述介质层的侧墙；形成复合多晶硅层，所述复合多晶硅层覆盖所述介质层、所述侧墙以及剩余的部分所述半导体衬底，所述侧墙上的所述复合多晶硅层具有至少一个台阶；在所述复合多晶硅层表面形成金属硅化物，本发明中，在半导体衬底上形成复合多晶硅层，侧墙上的复合多晶硅层具有至少一个台阶，使得复合多晶硅层在侧墙处的坡度降低，形成的金属层可以完整的覆盖复合多晶硅层，从而形成完整的金属硅化物，降低复合多晶硅层的电阻，从而提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，部分所述半导体衬底上形成有层叠设置的第一多晶硅层和介质层，以及围绕所述第一多晶硅层和所述介质层的侧墙；形成复合多晶硅层，所述复合多晶硅层覆盖所述介质层、所述侧墙以及剩余的部分所述半导体衬底，所述侧墙上的所述复合多晶硅层具有至少一个台阶；在所述复合多晶硅层表面形成金属硅化物。
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