[发明专利]防串扰红外探测器像元结构及其制备方法有效
申请号: | 201610480950.8 | 申请日: | 2016-06-27 |
公开(公告)号: | CN106129138B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 康晓旭 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/18 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,尹英 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种防串扰红外探测器像元结构及其制备方法,通过在红外探测结构的边缘设置凹槽结构,利用凹槽结构来吸收和反射入射到凹槽结构侧壁的红外光,从而防止入射的红外光进入到其它像元结构中,避免了像元之间的相互串扰,提高了器件的灵敏度和准确度。 | ||
搜索关键词: | 防串扰 红外探测器 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种防串扰红外探测器像元结构,位于一硅衬底上,其特征在于,所述防串扰红外探测器像元结构具有红外探测结构,所述红外探测结构边缘区域具有凹槽结构,凹槽结构用于吸收和反射入射到凹槽结构侧壁的红外光;所述红外探测结构具有主体和边缘,所述凹槽结构作为所述红外探测结构的边缘呈沟渠状不封闭的环绕所述红外探测结构的主体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的