[发明专利]防串扰红外探测器像元结构及其制备方法

权利要求书

1.一种防串扰红外探测器像元结构，位于一硅衬底上，其特征在于，所述防串扰红外探测器像元结构具有红外探测结构，所述红外探测结构边缘区域具有凹槽结构，凹槽结构用于吸收和反射入射到凹槽结构侧壁的红外光；所述红外探测结构具有主体和边缘，所述凹槽结构作为所述红外探测结构的边缘呈沟渠状不封闭的环绕所述红外探测结构的主体。

2.根据权利要求1所述的防串扰红外探测器像元结构，其特征在于，所述凹槽结构的深宽比大于1。

3.根据权利要求1所述的防串扰红外探测器像元结构，其特征在于，所述凹槽结构内填充有红外吸收材料。

4.根据权利要求1所述的防串扰红外探测器像元结构，其特征在于，所述凹槽结构侧壁具有反射层。

5.根据权利要求1所述的防串扰红外探测器像元结构，其特征在于，所述硅衬底中具有互连层，所述硅衬底表面具有导电结构，导电结构与互连层相连；所述硅衬底上具有导电支撑柱，所述红外探测器结构的两端与导电支撑柱顶部接触；所述导电支撑柱底部与所述导电结构相接触。

6.根据权利要求1所述的防串扰红外探测器像元结构，其特征在于，所述红外探测结构为微桥结构；微桥结构具有下释放保护层、红外敏感材料层、电极层和上释放保护层。

7.一种权利要求1所述的防串扰红外探测器像元结构的制备方法，其特征在于，包括：

步骤01：在所述硅衬底上形成牺牲层；

步骤02：在牺牲层对应于所述红外探测结构边缘的凹槽结构的位置刻蚀出凹槽图案；

步骤03：在所述牺牲层上形成红外探测结构，在所述凹槽图案中的红外探测结构的边缘区域形成所述凹槽结构；

步骤04：进行释放工艺，去除牺牲层，在所述红外探测结构下方形成空腔。

8.根据权利要求7所述的防串扰红外探测器像元结构的制备方法，其特征在于，所述步骤03中，还包括：在所述凹槽结构中沉积红外吸收材料。

9.根据权利要求7所述的防串扰红外探测器像元结构的制备方法，其特征在于，所述步骤03中，在沉积所述红外探测结构之前，先在所述凹槽图案的底部和侧壁沉积一层反射层。