[发明专利]半导体器件结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610478184.1 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN106328540B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 巫柏奇;张家玮;李荣瑞;张雅岚;赵益承 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括在衬底上方形成介电层。介电层具有穿通介电层的沟槽。该方法包括在沟槽中形成栅极堆叠件。该方法包括在栅极堆叠件上方执行含氢等离子体工艺。该方法包括去除栅极堆叠件的顶部以形成被栅极堆叠件和介电层环绕的第一凹部。该方法包括在第一凹部中形成覆盖层以填充第一凹部。本发明还提供了半导体器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：在衬底上方形成介电层，所述介电层具有穿通所述介电层的沟槽；在所述沟槽中形成栅极堆叠件；在所述栅极堆叠件上方执行含氢等离子体工艺，其中，所述含氢等离子体工艺将氢原子注入到所述栅极堆叠件的上部中；去除所述栅极堆叠件的顶部以形成被所述栅极堆叠件和所述介电层环绕的第一凹部；以及在所述第一凹部中形成覆盖层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
