[发明专利]基于外延层的纳米线器件及其制造方法及包括其的电子设备有效
| 申请号： | 201610467229.5 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105932057B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L29/06;H01L27/092;H01L21/335;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；与衬底相隔开的至少一条沿弯曲纵向延伸方向延伸的半导体纳米线；在衬底上形成的隔离层，隔离层露出半导体纳米线；以及在隔离层上形成的与半导体纳米线相交的栅堆叠，其中栅堆叠包括至少部分环绕半导体纳米线外周的栅介质层以及栅导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 外延 纳米 器件 及其 制造 方法 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n衬底；/n与衬底相隔开的至少一条沿弯曲纵向延伸方向延伸的半导体纳米线；/n在衬底上形成的隔离层，隔离层露出半导体纳米线；以及/n在隔离层上形成的与半导体纳米线相交的栅堆叠，其中栅堆叠包括至少部分环绕半导体纳米线外周的栅介质层以及栅导体层；/n其中，沿该半导体纳米线的纵向延伸方向上，该半导体纳米线至少包括第一部分，该第一部分仅由第一种化合物组分形成；该纳米线至少包括第二部分，该第二部分仅由不同于第一种化合物组分的第二种化合物组分形成。/n
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