[发明专利]羧酸酐的制造方法、羧酸酰亚胺的制造方法和电子照相感光构件的制造方法在审

专利信息
申请号: 201610465906.X 申请日: 2016-06-23
公开(公告)号: CN106279195A 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 田上庆;齐藤章人;关户邦彦;关谷道代;西将史 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: C07D493/04 分类号: C07D493/04;C07D493/06;C07D307/89;C07D471/06;C07D487/06;G03G5/04
代理公司: 北京魏启学律师事务所11398 代理人: 魏启学
地址: 日本东京都大 *** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及羧酸酐的制造方法、羧酸酰亚胺的制造方法和电子照相感光构件的制造方法。羧酸酐的制造方法包括在溶剂的存在下加热包含特定化合物的组合物从而获得所述羧酸酐。所述溶剂是沸点为50℃以上的非质子性极性溶剂。
搜索关键词: 羧酸 制造 方法 亚胺 电子 照相 感光 构件
【主权项】:
一种羧酸酐的制造方法,其特征在于,包括以下步骤(i)至(iii)的任意步骤:(i)在第一溶剂的存在下加热包含由式(1)表示的化合物的组合物从而生产由式(2)表示的羧酸酐:其中在式(1)和(2)中,Y表示二价至六价的有机基团,n表示2至6的整数,并且m表示1至3的整数;(ii)在第二溶剂的存在下加热包含选自由式(3)表示的化合物和由式(4)表示的化合物组成的组的至少一种化合物的组合物从而制备由式(5)表示的羧酸酐:其中在式(3)至(5)中,X1表示除去了四个羧基的四羧酸的残基;和(iii)在第三溶剂的存在下加热包含由式(6)表示的化合物的组合物从而生产由式(7)表示的羧酸酐:其中在式(6)和(7)中,R1表示选自由氢原子、烷基、卤素原子和羧基组成的组的原子或基团,R2表示选自由氢原子、烷基和卤素原子组成的组的原子或基团,并且X2表示除去了两个羧基的二羧酸的残基,其中所述第一溶剂、所述第二溶剂和所述第三溶剂各自包含沸点为50℃以上的非质子性极性溶剂。
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