[发明专利]等离子化学气相沉积装置有效
申请号: | 201610457284.6 | 申请日: | 2016-06-22 |
公开(公告)号: | CN106282974B | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 佐藤羊治;佐藤贵康;中田博道;橘和孝;有屋田修;高野裕二;鹤本谅 | 申请(专利权)人: | 丰田自动车株式会社 |
主分类号: | C23C16/517 | 分类号: | C23C16/517 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 黄刚;车文 |
地址: | 日本爱知*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 等离子化学气相沉积装置包括腔室(12)、具有伸长形状的第一导体(20)、具有管状形状的第二导体(30)、高频输出装置(45)和直流电源(46)。第一导体(20)的与高频输出装置(45)连接的第一连接部(23)以及第一导体(20)的与直流电源(46)连接的第二连接部(24)均被放置在腔室(12)的外侧。从第一导体(20)的一端到第一连接部(23)的距离短于从第一导体(20)的所述一端到第二连接部(24)的距离。在第一导体(20)中在第一连接部(23)和第二连接部(24)之间设置阻抗变化部(25),阻抗变化部具有的阻抗不同于在第一导体(20)的所述一端与第一连接部(23)之间的阻抗。 | ||
搜索关键词: | 导体 第一连接部 第二连接部 高频输出装置 直流电源 阻抗变化 腔室 阻抗 等离子化学气相沉积 化学气相沉积装置 装置等离子 管状形状 伸长 | ||
【主权项】:
一种等离子化学气相沉积装置,其特征在于包括:腔室(12),所述腔室(12)被构造成在所述腔室(12)的内部容纳工件(W),所述腔室(12)被构造成通过在所述腔室(12)的内部将过程气体转变成等离子来分解所述过程气体,使得膜沉积在所述工件(W)上;第一导体(20),所述第一导体(20)具有伸长形状,所述第一导体(20)被构造使得一端与所述腔室(12)的内部的所述工件(W)接触并且另一端被放置在所述腔室(12)的外部;第二导体(30),所述第二导体(30)具有管状形状,所述第二导体(30)与所述第一导体(20)同轴地放置,使得所述第一导体(20)被放置在所述第二导体(30)的内侧;高频输出装置(45),所述高频输出装置(45)被连接到所述第一导体(20)和所述第二导体(30),所述高频输出装置(45)被构造成使微波流经所述第一导体(20)的表面;以及直流电源(46),所述直流电源(46)被构造成将直流电压输出到所述第一导体(20),其中:所述第一导体(20)的与所述高频输出装置(45)连接的第一连接部(23)以及所述第一导体(20)的与所述直流电源(46)连接的第二连接部(24)均被放置在所述腔室(12)的外侧;从所述第一导体(20)的所述一端到所述第一连接部(23)的距离短于从所述第一导体(20)的所述一端到所述第二连接部(24)的距离;并且在所述第一导体(20)中在所述第一连接部(23)和所述第二连接部(24)之间设置阻抗变化部(25),所述阻抗变化部(25)具有的阻抗不同于在所述第一导体(20)的所述一端与所述第一连接部(23)之间的阻抗。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的