[发明专利]SiC晶体的制造方法有效
| 申请号： | 201610455007.1 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN106256931B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 关章宪;石川由加里 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;一般财团法人日本精细陶瓷中心 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/00;C30B25/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC晶体的制造方法。本发明提供可有效地掺杂氮的SiC晶体的制造方法。另外，提供一种可仅对SiC晶体的一部分区域提高N施主浓度的SiC晶体的制造方法。SiC晶体的制造方法，其为供给含Si、C及N的原料气体从而使N掺杂的SiC晶体在SiC基板上气相生长的SiC晶体的制造方法，其中，上述SiC基板为表面的一部分或全部沉积有La、Ce或Ti的SiC基板，或者为表面的一部分为全部离子注入有La、Ce或Ti的SiC基板。 | ||
| 搜索关键词： | sic 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.SiC晶体的制造方法，其包括：(a)在SiC基板的表面(i)沉积La或Ce、或(ii)离子注入La、Ce或Ti，以及(b)供给含Si、C及N的原料气体，从而(i)在沉积了La或Ce后的SiC基板上、或(ii)在离子注入了La、Ce或Ti后的SiC基板上使N掺杂的SiC晶体以CVD法气相生长。
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