[发明专利]半导体元件及半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201610423688.3 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN106328696B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 奥尔加·克雷姆帕斯卡;罗曼·卢普塔克;米夏尔·库博维奇 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/70 | 分类号： | H01L29/70;H01L29/73;H01L29/74;H01L29/861;H01L21/328;C23C16/44;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 戚传江;金洁 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体元件，其包括MESA形的双极半导体芯片(1)，其中将第一金属化层(4)布置在半导体芯片(1)的第一主表面(2)上且将第二金属化层(5)布置在半导体芯片(1)的第二主表面(3)上，所述第二主表面被布置为与半导体芯片(1)的第一主表面(2)相背，其中将氧化铝层(7)布置在半导体芯片(1)的边缘表面(6)上，所述边缘表面环绕半导体芯片(1)周围延伸并且连接第一和第二主表面(2，3)。此外，本发明涉及用于制造半导体元件(10)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括MESA形的双极半导体芯片(1)，其中将第一金属化层(4)布置在半导体芯片(1)的第一主表面(2)上且将第二金属化层(5)布置在所述半导体芯片(1)的第二主表面(3)上，所述第二主表面被布置为与所述半导体芯片(1)的第一主表面(2)相背，其中将氧化铝层(7)布置在所述半导体芯片(1)的边缘表面(6)上，所述边缘表面环绕所述半导体芯片(1)周围延伸并且连接所述第一主表面和所述第二主表面(2，3)。
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