[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201610421756.2 | 申请日： | 2016-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107170479B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 吉冈重实 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C14/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体存储器装置。本发明降低半导体存储器装置刷新时的大的峰值电流IDDP，并且确保位线的感测放大器容限为规定值以上。半导体存储器装置在多条字线与多条位线的各交叉点处分别具有存储器单元，且具备从来自多个存储器单元的多条数据线读出数据的感测放大器、及具有从多条数据线锁存数据的第1晶体管的感测放大器锁存电路，其中，与多条字线平行的相同列线的多个感测放大器被分割为多个感测放大器电路群组，所述经分割的感测放大器电路群组还包括第2晶体管，所述第2晶体管基于从数据读出时的字线启动开始延迟的锁存信号，来锁存读出数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器装置，在多条字线与多条位线的各交叉点处分别具有存储器胞元，且具备从来自多个所述存储器胞元的多条数据线读出数据的感测放大器、以及具有从所述多条数据线锁存数据的第1晶体管的感测放大器锁存电路，所述半导体存储器装置的特征在于，与所述多条字线平行的相同列线的多个感测放大器被分割为多个感测放大器电路群组，经分割的所述感测放大器电路群组还包括第2晶体管，所述第2晶体管基于从数据读出时的字线启动开始延迟的锁存信号，来锁存读出数据。
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