[发明专利]具有改进的雪崩击穿特性的晶体管有效
| 申请号： | 201610416011.7 | 申请日： | 2016-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN106252413B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | A·迈泽尔;T·施勒塞尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/07;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提供了一种具有改进的雪崩击穿特性的晶体管，其包括至少一个晶体管单元。该至少一个晶体管单元包括：位于半导体主体中的第一掺杂类型的漂移区、第一掺杂类型的源极区、第二掺杂类型的体区以及第一掺杂类型的漏极区；邻近体区并且通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅极电极；布置在漂移区中并且与漂移区介电绝缘的场电极；源极电极，其电连接至源极区和体区并且布置在自第一表面延伸进半导体主体中的沟槽中；漏极电极，其电连接至漏极区并且布置自第一表面延伸到半导体主体中的沟槽中；雪崩旁通结构，其耦合在源极电极和漏极电极之间，并且包括第一掺杂类型的第一半导体层、第一掺杂类型的第二半导体层以及布置在第一半导体层和源极电极之间的pn结。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 雪崩 击穿 特性 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管器件，所述晶体管器件包括至少一个晶体管单元，其中所述至少一个晶体管单元包括：位于半导体主体中的第一掺杂类型的漂移区、第一掺杂类型的源极区、第二掺杂类型的体区以及第一掺杂类型的漏极区，其中所述体区被布置在所述源极区与所述漂移区之间，其中所述漂移区被布置在所述体区与所述漏极区之间，其中所述源极区和所述漏极区在所述半导体主体的横向方向上间隔开；栅极电极，所述栅极电极邻近所述体区并且通过栅极电介质与所述体区介电绝缘；场电极，所述场电极被布置在所述漂移区中并且通过场电极电介质与所述漂移区介电绝缘；源极电极，所述源极电极电连接到所述源极区和所述体区，并且所述源极电极被布置在从第一表面延伸到所述半导体主体中的沟槽中；漏极电极，所述漏极电极电连接到所述漏极区，并且所述漏极电极被布置在从第一表面延伸到所述半导体主体中的沟槽中；雪崩旁通结构，所述雪崩旁通结构耦合在所述源极电极与所述漏极电极之间，并且所述雪崩旁通结构包括所述第一掺杂类型的第一半导体层、所述第一掺杂类型的第二半导体层以及布置在所述第一半导体层与所述源极电极之间的pn结，其中所述第二半导体层的掺杂浓度比所述第一半导体层的掺杂浓度高，其中所述第一半导体层被布置在所述第二半导体层与所述漂移区之间，并且其中所述漏极电极电连接到所述第二半导体层。
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