[发明专利]形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610409464.7 | 申请日： | 2016-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107488828B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 王军;董博宇;郭冰亮;耿玉洁;马怀超 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法，利用于主溅射进行之前先进行两次具有不同工艺参数的预溅射，以此达到稳定靶材状况的效果。本发明的形成薄膜的方法可在基板上形成氮化铝薄膜，而此氮化铝薄膜可用于电子装置中位于基板与氮化镓层之间的缓冲层，以此改善氮化铝以及氮化镓层的成膜质量并达到提升电子装置效能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 薄膜 方法 以及 氮化 | ||
【主权项】：
1.一种形成薄膜的方法，其特征在于，包括：/n将基板放置在承载底座上；/n以靶材进行第一预溅射；/n在所述第一预溅射之后，利用所述靶材进行第二预溅射；/n在所述第一预溅射以及所述第二预溅射进行时，遮蔽盘位于所述靶材与所述基板之间；/n在所述第二预溅射之后，将所述遮蔽盘移开；以及/n利用所述靶材对所述基板进行主溅射，以在所述基板上形成薄膜，/n其中，所述第一预溅射与所述第二预溅射具有不同的工艺参数，在所述第二预溅射之后以及所述主溅射之前不对所述靶材加载电源；并且，/n进行所述第一预溅射时对所述靶材加载的溅射功率不同于进行所述第二预溅射时对所述靶材加载的溅射功率。/n
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