[发明专利]形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法

说明书

本发明揭示一种形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法，利用于主溅射进行之前先进行两次具有不同工艺参数的预溅射，以此达到稳定靶材状况的效果。本发明的形成薄膜的方法可在基板上形成氮化铝薄膜，而此氮化铝薄膜可用于电子装置中位于基板与氮化镓层之间的缓冲层，以此改善氮化铝以及氮化镓层的成膜质量并达到提升电子装置效能的目的。

技术领域

本发明涉及一种半导体工艺，特别是一种形成薄膜的方法与形成氮化铝薄膜的方法。

背景技术

物理气相沉积(physical vapor deposition,PVD)溅射工艺已广泛用于现今的半导体集成电路、发光二极管(light emitting diode，LED)、太阳能电池及显示器等工艺中。在PVD溅射设备的腔室中，通常是利用高功率直流电源连接至靶材，通过加载功率将腔室内的工作气体激发为等离子体(plasma)，并吸引等离子体中的离子轰击靶材，以此使靶材的材料被溅射下来而沉积在晶片等基板上。不同的应用领域通常对溅射功率、溅射速率等工艺参数的要求也有所不同，但基本上对于提升成膜质量、成膜厚度均匀性以及增加设备产能的努力方向却是非常明确的。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种形成薄膜的方法与形成氮化铝薄膜的方法，以溅射方式形成氮化铝薄膜，并在主溅射之前分别进行两次具有不同工艺参数的预溅射，以此达到稳定成膜工艺以及改善成膜厚度均匀性的目的。

本发明的一些实施例提供一种形成薄膜的方法，包括下列步骤。首先，将基板放置于承载底座上。然后，利用设置的靶材进行第一预溅射。在第一预溅射之后，利用靶材进行第二预溅射。在第一预溅射以及第二预溅射进行时，遮蔽盘位于靶材与承载底座之间。在第二预溅射之后，将遮蔽盘移开，利用靶材对基板进行主溅射，以在基板上形成薄膜，其中第一预溅射与第二预溅射具有不同的工艺参数。

本发明的一些实施例提供一种形成氮化铝薄膜的方法，包括下列步骤。首先，将基板放置于承载底座上。然后，利用含铝靶材进行第一预溅射。在第一预溅射之后，利用含铝靶材进行第二预溅射。在第一预溅射以及第二预溅射进行时，遮蔽盘位于含铝靶材与承载底座之间。在第二预溅射之后，将遮蔽盘移开，利用含铝靶材对基板进行主溅射，以在基板上形成氮化铝薄膜，其中第一预溅射与第二预溅射具有不同的工艺参数。

在本发明的形成薄膜的方法中，在进行主溅射之前先利用同一靶材进行两次工艺参数不同的预溅射，以此可稳定靶材的状况，且可补偿以相同溅射工艺参数操作时间较久时对于成膜厚度均匀性的负面影响，故可达到改善成膜质量以及提升成膜厚度均匀性等效果。

附图说明

图1为本发明一些实施例的形成薄膜的方法的流程示意图；

图2A为本发明一些实施例的形成薄膜的方法示意图；

图2B为本发明一些实施例的形成薄膜的方法示意图；

图2C为本发明一些实施例的形成薄膜的方法示意图；以及

图3为本发明一些实施例的电子装置的示意图。

【符号说明】

20 溅射装置

21 腔室

21S 内壁

22 承载底座

23 托盘

24 遮蔽盘

25 遮蔽盘库