[发明专利]形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法

权利要求书

1.一种形成薄膜的方法，其特征在于，包括：

将基板放置在承载底座上；

以靶材进行第一预溅射；

在所述第一预溅射之后，利用所述靶材进行第二预溅射；

在所述第一预溅射以及所述第二预溅射进行时，遮蔽盘位于所述靶材与所述基板之间；

在所述第二预溅射之后，将所述遮蔽盘移开；以及

利用所述靶材对所述基板进行主溅射，以在所述基板上形成薄膜，

其中，所述第一预溅射与所述第二预溅射具有不同的工艺参数，在所述第二预溅射之后以及所述主溅射之前不对所述靶材加载电源；并且，

进行所述第一预溅射时对所述靶材加载的溅射功率不同于进行所述第二预溅射时对所述靶材加载的溅射功率。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进行所述第一预溅射时所通入的气体不同于进行所述第二预溅射时所通入的气体。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进行所述第二预溅射时所通入的气体与进行所述主溅射时所通入的气体相同。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进行所述第二预溅射时对所述靶材加载的所述溅射功率小于进行所述第一预溅射时对所述靶材加载的所述溅射功率。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进行所述第一预溅射时对所述靶材加载的所述溅射功率与进行所述主溅射时对所述靶材加载的溅射功率相同。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一预溅射之后以及所述第二预溅射之前不对所述靶材加载电源。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

将所述基板移至工艺位之后进行所述主溅射；以及

对所述靶材加载电源以进行所述主溅射；

其中，在所述第二预溅射之后以及将所述基板移至所述工艺位之前不对所述靶材加载电源。

8.一种形成氮化铝薄膜的方法，其特征在于，包括：

将基板放置于承载底座上；

利用含铝靶材进行第一预溅射；

在所述第一预溅射之后，利用所述含铝靶材进行第二预溅射；

其中：

在所述第一预溅射以及所述第二预溅射进行时，遮蔽盘位于所述含铝靶材与所述基板之间；

在所述第二预溅射之后，将所述遮蔽盘移开；以及

利用所述含铝靶材对所述基板进行主溅射，以在所述基板上形成氮化铝薄膜，

所述第一预溅射与所述第二预溅射具有不同的工艺参数，在所述第二预溅射之后以及所述主溅射之前不对所述含铝靶材加载电源；并且，

进行所述第一预溅射时对所述含铝靶材加载的溅射功率不同于进行所述第二预溅射时对所述含铝靶材加载的溅射功率。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进行所述第一预溅射时所通入的气体不同于进行所述第二预溅射时所通入的气体。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进行所述第一预溅射时所通入的气体包括含氮气体以及惰性气体。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进行所述第二预溅射时所通入的气体包括含氮气体、含氧气体以及惰性气体。

12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进行所述第二预溅射时所通入的气体与进行所述主溅射时所通入的气体相同。

13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进行所述第二预溅射时对所述含铝靶材加载的所述溅射功率小于进行所述第一预溅射时对所述含铝靶材加载的所述溅射功率。

14.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进行所述第一预溅射时对所述含铝靶材加载的所述溅射功率与进行所述主溅射时对所述含铝靶材加载的溅射功率相同。