[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610394268.7 | 申请日： | 2016-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN106356409B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 小川恵理;中川明夫 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，实现二极管元件的反向恢复耐受量的提高。半导体装置具备第一导电型的漂移层(1)；第二导电型的阳极区(3)，其设置于漂移层(1)的上部；绝缘膜(10)，其设置于漂移层(1)之上；阳极电极(12)，其具有穿过贯通绝缘膜(10)的接触孔(11)来与阳极区(3)进行欧姆连接的欧姆连接部分(12a)；以及肖特基电极(8)，其与阳极区(3)的周边部进行肖特基接合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的漂移层；第二导电型的阳极区，其设置于所述漂移层的上部；绝缘膜，其设置于所述漂移层之上；阳极电极，其具有穿过贯通所述绝缘膜的接触孔来与所述阳极区进行欧姆连接的欧姆连接部分；以及肖特基电极，其与所述阳极区的周边部分进行肖特基接合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610394268.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法
- 下一篇：高功率太阳能电池模块
- 同类专利
- 专利分类
