[发明专利]高Q因子电感器结构和包括其的RF集成电路在审
| 申请号： | 201610392789.9 | 申请日： | 2016-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN106783808A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 崔祯训 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 李少丹,许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了高Q因子电感器结构和包括其的RF集成电路。电感器结构包括电感线，设置在绝缘层之上；上金属线，设置在绝缘层之上，并且与电感线间隔预定距离；第一下金属线和第二下金属线，第一下金属线和第二下金属线均设置在绝缘层中，并且在垂直方向上位于彼此不同的水平；下通孔，将第一下金属线耦接至第二下金属线；第一上通孔，将第二下金属线耦接至电感线；以及第二上通孔，将第二下金属线耦接至上金属线。 | ||
| 搜索关键词： | 因子 电感器 结构 包括 rf 集成电路 | ||
【主权项】：
一种电感器结构，包括：电感线，设置在绝缘层之上；上金属线，设置在绝缘层之上，并且与电感线间隔预定距离；第一下金属线和第二下金属线，第一下金属线和第二下金属线均设置在绝缘层中，并且在垂直方向上位于彼此不同的水平；下通孔，将第一下金属线耦接至第二下金属线；第一上通孔，将第二下金属线耦接至电感线；以及第二上通孔，将第二下金属线耦接至上金属线。
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