[发明专利]集成放大电路的氮化镓基发光二极管结构及其制备方法

摘要

本发明提供具有集成放大电路的氮化镓基发光二极管结构及其制备方法。发光二极管包括：衬底、非掺杂GaN缓冲层、N型GaN导电层、多量子阱有源区、P型氮化镓导电层、电流扩展层、P电极、高阻氮化镓沟道层、AlGaN势垒层、源电极、栅电极；本发明涉及具有集成放大电路的氮化镓基LED结构，避免了分离器件电路连接存在的寄生电容、电感，将控制LED通断的电极设计在芯片内部，可以有效改善发光器件整体的响应频率，提高基于氮化镓基LED的可见光通信速率。

主权项

1.集成放大电路的氮化镓基发光二极管结构，其特征在于从下至少依次包括衬底、GaN缓冲层的一部分、N型GaN导电层、多量子阱有源区、P型氮化镓导电层、电流扩展层、P电极；GaN缓冲层的另一部分往上依次设有高阻氮化镓沟道层、AlGaN势垒层；AlGaN势垒层上设有源欧姆电极和栅电极；所述二极管结构包含晶体管电流放大电路；电流放大电路由所述GaN缓冲层、AlGaN势垒层、源欧姆电极及栅电极组成；所述多量子阱有源区为周期性交叠的InGaN势垒层和GaN势阱层。