[发明专利]一种高压横向扩散金属氧化物半导体LDMOS在审
| 申请号： | 201610383800.5 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107452794A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 杜蕾 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 许静,安利霞 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高压横向扩散金属氧化物半导体LDMOS，涉及半导体技术领域，解决现有高压LDMOS由于电场集中以及尖端放电导致器件失效的问题。该高压LDMOS包括P型衬底；形成于P型衬底上的高压N阱区；高压N阱区包括沿第一方向依次排列的至少两个直道区域和在直道区域的一端连接两个直道区域的过渡区域；相邻两个直道区域之间形成有一间隔区域，间隔区域包括沿直道区域边界形成的第一间隔部分和靠近过渡区域的一端形成的第二间隔部分，第二间隔部分沿第一方向的宽度大于第一间隔部分沿第一方向的宽度；P型衬底上除高压N阱区外的区域形成有P阱区。本发明的方案弱化了电场集中效应，提升了产品可靠性，提高了市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 ldmos | ||
【主权项】：
一种高压横向扩散金属氧化物半导体LDMOS，其特征在于，包括：P型衬底；形成于所述P型衬底上的高压N阱区；所述高压N阱区包括沿第一方向依次排列的至少两个直道区域和在所述直道区域的一端连接两个所述直道区域的过渡区域；相邻两个所述直道区域之间形成有一间隔区域，所述间隔区域包括沿所述直道区域边界形成的第一间隔部分和靠近所述过渡区域的一端形成的第二间隔部分，其中所述第二间隔部分沿所述第一方向的宽度大于所述第一间隔部分沿所述第一方向的宽度；所述P型衬底上除所述高压N阱区外的区域形成有P阱区。
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