[发明专利]一种高压横向扩散金属氧化物半导体LDMOS

权利要求书

1.一种高压横向扩散金属氧化物半导体LDMOS，其特征在于，包括：

P型衬底；

形成于所述P型衬底上的高压N阱区；

所述高压N阱区包括沿第一方向依次排列的至少两个直道区域和在所述直道区域的一端连接两个所述直道区域的过渡区域；

相邻两个所述直道区域之间形成有一间隔区域，所述间隔区域包括沿所述直道区域边界形成的第一间隔部分和靠近所述过渡区域的一端形成的第二间隔部分，其中所述第二间隔部分沿所述第一方向的宽度大于所述第一间隔部分沿所述第一方向的宽度；

所述P型衬底上除所述高压N阱区外的区域形成有P阱区。

2.根据权利要求1所述的高压LDMOS，其特征在于，所述高压LDMOS还包括：

形成于所述高压N阱区上的漏极，所述漏极包括分别设置于所述直道区域的至少两个第一漏极部分及设置于所述过渡区域的第二漏极部分，相邻两个所述第一漏极部分在同一侧通过所述第二漏极部分连接。

3.根据权利要求2所述的高压LDMOS，其特征在于，所述高压LDMOS还包括：

形成于所述高压N阱区上，围绕所述漏极设置的耗尽区。

4.根据权利要求3所述的高压LDMOS，其特征在于，所述过渡区域、所述第二间隔部分及所述第二漏极部分均包括圆弧区域，且所述过渡区域、所述第二间隔部分与所述第二漏极部分的圆弧弯曲方向相同；

所述耗尽区围绕所述第二漏极部分形成两个圆弧区域，所述耗尽区靠近所述第二间隔部分的圆弧半径大于所述第二间隔部分的圆弧半径。

5.根据权利要求4所述的高压LDMOS，其特征在于，所述第二间隔部分的圆弧圆心在所述耗尽区边界的延长线上，且所述第一漏极部分的边界与所述耗尽区靠近所述第二间隔部分的圆弧的切点以及所述第二间隔部分的圆弧圆心在同一直线上。

6.根据权利要求1所述的高压LDMOS，其特征在于，所述高压LDMOS还包括：

形成于所述高压N阱区与所述P阱区的接触区域的栅极。

7.根据权利要求6所述的高压LDMOS，其特征在于，所述高压LDMOS还包括：

形成于所述P阱区上，与所述栅极临近的源极。

8.根据权利要求1所述的高压LDMOS，其特征在于，所述高压N阱区和所述P阱区通过光刻注入跟炉管推阱的方法形成。

9.根据权利要求3所述的高压LDMOS，其特征在于，所述耗尽区采用选择性氧化LOCOS工艺形成；

所述漏极采用N+注入形成。

10.根据权利要求7所述的高压LDMOS，其特征在于，所述栅极采用多晶poly淀积、光刻及刻蚀工艺形成；

所述源极采用N+注入形成。