[发明专利]全反射阵列基板及其制备方法、显示器件在审
| 申请号： | 201610364884.8 | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105789121A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 莫再隆;代科;张正东 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 赵丹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种全反射阵列基板及其制备方法，涉及液晶显示技术领域，为解决制备金属反射层时转接过孔腐蚀且制备成本较高的问题而发明。所述全反射阵列基板的制备方法包括：步骤1、在承载基底上形成栅线和栅极、栅绝缘层、有源层、数据线和源、漏极、钝化层和钝化层过孔；步骤2、在所述承载基底上沉积金属反射层薄膜，并在所述金属反射层薄膜上沉积连接线层薄膜；步骤3、通过半曝光掩膜板进行构图工艺，在显示区域形成兼具像素电极功能和反射功能的金属反射层、在外围集成电路区域形成连接线，所述连接线由位于下层的金属反射层和位于上层的连接线层构成。本发明提供的方法用于全反射阵列基板的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 全反射 阵列 及其 制备 方法 显示 器件 | ||
【主权项】：
一种全反射阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括显示区域和外围集成电路区域，所述制备方法包括：步骤1、在承载基底上形成栅线和栅极、栅绝缘层、有源层、数据线和源、漏极、钝化层和钝化层过孔；步骤2、在所述承载基底上沉积金属反射层薄膜，并在所述金属反射层薄膜上沉积连接线层薄膜；步骤3、通过半曝光掩膜板进行构图工艺，在所述显示区域形成兼具像素电极功能和反射功能的金属反射层、在所述外围集成电路区域形成连接线，所述连接线由金属反射层和连接线层构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610364884.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
