[发明专利]一种透明材料的缺陷分析方法有效
申请号: | 201610351566.8 | 申请日: | 2016-05-24 |
公开(公告)号: | CN106057694B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 吕立平 | 申请(专利权)人: | 瀚天天成电子科技(厦门)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/02;G01N23/02 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭 |
地址: | 361101 福建省厦门市翔安区翔星*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种透明材料的缺陷分析方法,是对透明材料进行微观缺陷检测得到与透明材料实物相匹配的缺陷分布图,将透明材料通过对位重合的附于缺陷分布图上,采用扫描仪通过图像扫描得到实物‑结果对比图,并通过该实物‑结果对比图分析缺陷与透明材料外观之间的相关性。本发明的方法借由扫描仪的图像复制功能得到透明材料的真实图像及与缺陷分布图之间的直观比对,进而找出微观缺陷与透明材料破损等问题之间的相关性,抗光干扰性强,操作简单,可靠性强,具有实际应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 透明 材料 缺陷 分析 方法 | ||
【主权项】:
1.一种透明材料的缺陷分析方法,其特征在于包括以下步骤:1)提供一透明材料,对该透明材料进行微观缺陷检测得到缺陷分布图,该缺陷分布图与透明材料实物相匹配;2)将该透明材料通过对位重合的附于该缺陷分布图上,采用扫描仪通过图像扫描得到实物‑结果对比图;3)通过该实物‑结果对比图分析微观缺陷与透明材料外观之间的相关性。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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