[发明专利]一种MEMS器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610349550.3 | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107416758B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆上堆叠形成有第一层间介电层和接合材料层；图案化所述接合材料层，以在所述第一晶圆上形成接合环并露出部分所述第一层间介电层；沉积第二层间介电层，以覆盖所述接合环和露出的所述第一层间介电层；图案化所述第二层间介电层和所述第一层间介电层，以在所述接合环的两侧形成阻挡侧墙，所述阻挡侧墙与所述接合环之间具有开口间隔。所述方法可以严格控制所述阻挡侧墙与所述接合环顶部表面的高度差，以获得更大的工艺余裕，以避免后续的CVD工艺中或研磨打薄工艺中引起晶圆的脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆上堆叠形成有第一层间介电层和接合材料层；图案化所述接合材料层，以在所述第一晶圆上形成接合环并露出部分所述第一层间介电层；沉积第二层间介电层，以覆盖所述接合环和露出的所述第一层间介电层；图案化所述第二层间介电层和所述第一层间介电层，以在所述接合环的两侧形成阻挡侧墙，所述阻挡侧墙与所述接合环之间具有开口间隔。
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