[发明专利]形成n型扩散层的组合物和方法，及制备光伏电池的方法在审
| 申请号： | 201610345273.9 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN106158603A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 町井洋一;吉田诚人;野尻刚;冈庭香;岩室光则;足立修一郎;青柳拓也 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李新红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于形成n型扩散层的组合物和方法，以及制备广泛电池的方法。所述组合物能够在使用硅基板的光伏电池的制造工艺中，在基板的某个部分上形成n型扩散层，而且不形成不必要的n型扩散层。根据本发明的用于形成n型扩散层的组合物包含含给体元素的玻璃粉末和分散介质。n型扩散层和具有n型扩散层的光伏电池通过下列方法制备：涂敷用于形成n型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 扩散 组合 方法 制备 电池 | ||
【主权项】：
一种用于形成n型扩散层的组合物，所述组合物包含含给体元素的玻璃粉末和分散介质。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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