[发明专利]电容器结构和形成电容器结构的方法在审
| 申请号： | 201610344328.4 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN106169460A | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 黄柏智;方家伟 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 白华胜;王蕊 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容器结构及其形成方法。电容器结构包含半导体结构；第一梳状的导电元件，包含第一基部以及多个第一突出部分，每一第一突出部分具有与所述第一基部连接的第一端，以及不与所述第一基部连接的第二端；第二梳状的导电元件，包含第二基部以及多个第二突出部分，每一第二突出部分具有与所述第二基部连接的第三端，以及不与所述第二基部连接的第四端，且所述第二梳状的导电元件的所述多个第二突出部分与所述第一梳状的导电元件的所述多个第一突出部分交错；以及介电层，形成于所述第一梳状的导电元件和所述第二梳状的导电元件之间。本发明的电容器结构和形成电容器结构的方法可以在继续小型化半导体装置的同时维持或进一步增大电容。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种电容器结构，其特征在于，包含：半导体结构；第一梳状的导电元件，形成于所述半导体结构的一部分之上，包含：第一基部；以及多个第一突出部分，每一第一突出部分具有与所述第一基部连接的第一端，以及不与所述第一基部连接的第二端；第二梳状的导电元件，形成于所述半导体结构的另一部分之上，包含：第二基部；以及多个第二突出部分，每一第二突出部分具有与所述第二基部连接的第三端，以及不与所述第二基部连接的第四端，且所述第二梳状的导电元件的所述多个第二突出部分与所述第一梳状的导电元件的所述多个第一突出部分交错；以及介电层，形成于所述第一梳状的导电元件和所述第二梳状的导电元件之间。
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